潜力新材料碳化硅

其实潜力新材料碳化硅的问题并不复杂，但是又很多的朋友都不太了解，因此呢，今天小编就来为大家分享潜力新材料碳化硅的一些知识，希望可以帮助到大家，下面我们一起来看看这个问题的分析吧！

与第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，被称为“光电子和微电子产业的“新引擎”有望引领新一轮信息和能源产业革命。第三代半导体材料中，碳化硅技术成熟度最高，但目前其全球市场份额基本被国外企业垄断。

材质介绍

碳化硅（SiC）是第三代半导体材料中技术成熟度最高的材料。属于IV-IV族半导体化合物，具有宽带隙（Eg：3.2eV）、高击穿电场（4106V/cm）、高导热率（4.9W/cm.k）等特性。

从产业链来看，碳化硅包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节。碳化硅已发现200多种同素异形晶型，其中以4H和6H晶型应用最为广泛。

应用领域

4H-SiC适用于微电子领域，用于制备高频、高温、大功率器件； 6H-SiC适用于光电领域，可实现全彩显示。

发展瓶颈

1、大尺寸碳化硅单晶衬底制备加工技术不成熟：目前国际碳化硅芯片制造已从4英寸升级到6英寸，并有8英寸碳化硅单晶样品已被开发。然而，我国的单晶衬底尺寸太小，缺陷水平太高。

2、P型衬底技术研发滞后：未来高压双极器件将需要P型衬底，但我国碳化硅P型单晶衬底的基础研究尚未实现技术发展滞后。

3、N型碳化硅外延生长技术有待进一步完善：国内企业外延材料生长过程中气流、温度控制等技术不成熟，影响了中低端良率的提升。碳化硅芯片的耐压有一定的提高。

行业发展目标

《“十三五”材料领域科技创新专项规划》，“战略性先进电子材料”被列为发展重点之一，以第三代半导体材料、半导体照明、新型显示为核心，高功率激光材料与器件、高端光电子与器件以微电子材料为重点，推动跨界技术融合，抢占先进电子材料技术制高点。

《新材料产业发展指南》 明确提出突破信息技术产业新一代材料，加强大尺寸硅材料、大尺寸碳化硅单晶、高纯金属及合金溅射靶材生产研发技术，加快高纯特种电子气体研发。产业化解决超大规模集成电路的材料限制。

市场规模预测

据Grand View Research统计和预测数据显示，2019年全球碳化硅市场规模为25.2亿美元，预计到2027年将增长至71亿美元，2020年至2027年复合年增长率为16.1%。

主要研究单位/公司

国内：山东天岳、天科合达、同光晶体、韩天天成、天宇半导体、中国电子科技、基础半导体、扬杰电子、世纪金光、三安光电、中科院、中国电子科技二.

国外：Cree、英飞凌、II-VI、道康宁、SiCrystal（被罗姆收购）、昭和电工、意法半导体、新日铁住金、Norstel、三菱电机.

以上排名排名不分先后，名称均为缩写。

应用案例

新能源：光伏逆变器、新能源汽车逆变器、转换器及充电桩……

光伏逆变器

新能源汽车充电桩

普通照明：LED半导体照明……

LED水晶吊灯

电子器件：消费电源PFC、不间断电源UPS、工商业电源.