panda 其实什么是碳化硅半导体，为什么被称为第三代半导体最重要的材料？的问题并不复杂，但是又很多的朋友都不太了解，因此呢，今天小编就来为大家分享什么是碳化硅半导体，为什么被称为第三代半导体最重要的材料？的一些知识，希望可以帮助到大家，下面我们一起来看看这个问题的分析吧！
碳化硅非常坚硬，莫氏硬度为9.5，仅次于世界上最硬的金刚石（10级）。它具有优良的导热性，是半导体，在高温下可以抗氧化。
碳化硅历史表
1905年首次在陨石中发现碳化硅
1907年第一只碳化硅晶体发光二极管诞生
1955年，LELY在理论和技术上取得了重大突破，提出了不断生长高质量碳化的概念，从此SiC被视为重要的电子材料。
第一届世界碳化硅会议于1958年在波士顿召开，进行学术交流。
1978年和20世纪70年代，碳化硅主要由前苏联研究。到1978年，首次采用“LELY改进技术”的谷物提纯和生长方法。
从1987年至今，基于CREE的研究成果建立了碳化硅生产线，供应商也开始提供商业化的碳化硅基料。
2001年，德国英飞凌公司推出SiC二极管产品，美国Cree、意法半导体等厂商紧随其后。在日本，罗姆、新日本无线和瑞萨电子均已投产SiC二极管。
2013年9月29日，国际碳化硅半导体学会“ICSCRM 2013”召开。来自24个国家的半导体企业、科研机构等136家单位参会，参会人数达794人，创历史最高纪录。国际知名半导体器件厂商，如Cree、三菱、罗姆、英飞凌、仙童等均在会上展示了其最新量产的碳化硅器件。
迄今为止，已有多家厂商生产碳化硅器件，如Cree、Microsemi、Infineon、Rohm等。
二、碳化硅器件的优势特性
碳化硅（SiC）是目前最成熟的宽带隙半导体材料。世界各国都高度重视SiC的研究，投入了大量的人力、物力积极开发。美国、欧洲、日本等不仅在国家层面制定了法规并制定了相应的研究计划，一些国际电子巨头也投入巨资研发碳化硅半导体器件。
与普通硅相比，采用碳化硅的元件具有以下特点：
1. 高压特性
碳化硅器件的耐压性能是同等硅器件的10 倍
碳化硅肖特基管可承受高达2400V的电压。
碳化硅场效应管可以承受几万伏的电压，而且其通态电阻不是很大。
2. 高频特性
3、高温特性
在Si材料接近理论性能极限的今天，SiC功率器件一直被视为“理想器件”，因其高耐压、低损耗、高效率等特点而备受期待。但与以往的Si材料器件相比，SiC功率器件性能与成本的平衡及其对高技术的需求将成为SiC功率器件能否真正普及的关键。
目前，低功率碳化硅器件已从实验室进入实用器件生产阶段。目前碳化硅晶圆的价格还比较高，而且也存在很多缺陷。
三、最受关注的碳化硅MOS
SiC器件分类
1.SiC-MOSFET
SiC-MOSFET是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成绩较为突出的是美国Cree公司和日本ROHM公司。
碳化硅MOS结构
碳化硅MOSFET（SiCMOSFET）的N+源区和P阱掺杂均采用离子注入掺杂，并在1700温度下退火激活。另一个关键工艺是碳化硅MOS栅极氧化物的形成。由于碳化硅材料中同时存在Si和C原子，因此需要非常特殊的栅极介质生长方法。其沟槽星型结构的优点如下：
平面与沟槽
SiC-MOSFET采用沟槽结构，最大限度地发挥SiC的特性
碳化硅MOS的优点
硅IGBT一般只能工作在20kHz以下的频率。由于材料限制，高压高频硅器件无法实现。碳化硅MOSFET不仅适用于600V至10kV的宽电压范围，而且具有优异的单极器件开关性能。与硅IGBT相比，碳化硅MOSFET在开关电路无电流尾部时具有更低的开关损耗和更高的工作频率。
20kHz碳化硅MOSFET模块的损耗可比3kHz硅IGBT模块低一半，50A碳化硅模块可替代150A硅模块。显示了碳化硅MOSFET在工作频率和效率方面的巨大优势。
碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。如图所示，对于相同额定电流900V的器件，碳化硅MOSFET的寄生二极管的反向充电仅为相同电压规格的硅基MOSFET的5%。对于桥式电路（特别是当LLC 转换器工作在谐振频率以上时），该指标非常关键。可以减少死区时间和体二极管反向恢复带来的损耗和噪声，有利于开关工作频率的提高。
碳化硅MOS管的应用
碳化硅MOSFET模块在光伏、风电、电动汽车、轨道交通等中大功率电力系统应用中具有巨大优势。碳化硅器件高电压、高频、高效率的优点，可以突破现有电动汽车电机设计中器件性能的限制。这是当前国内外电动汽车电机领域的研发热点。例如，电装与丰田联合开发的混合动力电动汽车（HEV）和纯电动汽车（EV）中的功率控制单元（PCU）采用碳化硅MOSFET模块，将体积比缩小至1/5。三菱开发的EV电机驱动系统采用SiCMOSFET模块。将功率驱动模块集成到电机中，实现集成化、小型化的目标。预计2018-2020年碳化硅MOSFET模块将在国内外电动汽车上得到广泛应用。
四、碳化硅肖特二极管
1.碳化硅肖特基二极管结构
碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）器件采用结势垒肖特基二极管结构（JBS），可以有效降低反向漏电流，并具有更好的耐高压能力。
2、碳化硅肖特基二极管的优点
碳化硅肖特基二极管是单极器件，因此与传统的硅快恢复二极管（SiFRD）相比，碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。当器件从正向导通切换到反向阻断时，几乎没有反向恢复电流（如图1.2a所示），反向恢复时间小于20ns。即使是600V10A的碳化硅肖特基二极管的反向恢复时间也是10ns。之内。因此，碳化硅肖特基二极管可以工作在更高的频率，并且在相同频率下具有更高的效率。碳化硅肖特基二极管的另一个重要特点是具有正温度系数，电阻随着温度的升高而逐渐增大，这与硅FRD正好相反。这使得碳化硅肖特基二极管非常适合并联，增加了系统的安全性和可靠性。
总结碳化硅肖特基二极管的主要优点，它们有以下特点：
1. 几乎没有开关损耗
2.更高的开关频率
3、效率更高
4.更高的工作温度
5.正温度系数，适合并联运行
6. 开关特性几乎与温度无关
碳化硅肖特基二极管的应用
碳化硅肖特基二极管可广泛应用于开关电源、功率因数校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）、光伏逆变器等中高功率领域。它们可以显着降低电路损耗并提高电路的工作频率。在PFC电路中用碳化硅SBD替代原来的硅FRD，可以使电路工作在300kHz以上，效率基本保持不变。相比之下，使用硅FRD的电路的效率在100kHz以上急剧下降。随着工作频率的提高，电感等无源元件的体积相应减小，整个电路板的体积减小30%以上。
五、人们是如何评价碳化硅的？
几乎您能读到的每一篇文章都是这样介绍碳化硅的：
碳化硅的能带间隔是硅（宽带隙）的2.8倍，达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强是硅的5.3倍，高达3.2MV/cm。其导热系数是硅的3.3倍，为49w/cm.k。由碳化硅制成的肖特基二极管和MOS场效应晶体管的漂移电阻区域比相同耐压的硅器件薄一个数量级。其杂质浓度可达硅的2个数量级。因此，碳化硅器件单位面积的电阻仅为硅器件的百分之一。其漂移电阻几乎等于器件的总电阻。因此，碳化硅器件产生的热量极低。这有助于降低传导和开关损耗，工作频率一般比硅器件高10倍以上。此外，碳化硅半导体还具有固有的较强的抗辐射能力。
近年来，由碳化硅材料制成的IGBT（绝缘栅双极晶体管）等功率器件可以采用少数载流子注入等工艺，将其通态电阻降低至普通硅器件的十分之一。另外，碳化硅器件本身发热很少，因此碳化硅器件的导热性能优异。而且碳化硅功率器件可以在400的高温下正常工作。它可以用微小的器件控制大电流。工作电压也高得多。
六、目前碳化硅器件发展情况如何？
1、技术参数：例如肖特基二极管电压从250伏提高到1000伏以上。芯片面积更小，但电流只有几十安培。工作温度提升至180，与引入的600相去甚远。压降更是差强人意，与硅材料无异，高正向压降必须达到2V。
2、市场价格：约为硅材料制造的5至6倍。
七、碳化硅(SiC)器件发展中的难题在哪里？
综合各种报道，问题不在于芯片的原理设计，尤其是芯片结构设计，解决起来并不困难。难点在于芯片结构的制造工艺的实现。
示例如下：
1.碳化硅晶圆微管缺陷密度。微管是肉眼可见的宏观缺陷。在碳化硅晶体生长技术发展到完全消除微管缺陷之前，用碳化硅制造高功率电力电子器件将是困难的。虽然优质晶圆的微管密度已经达到不超过15cm-2的水平。但器件制造需要直径超过100mm、微管密度低于0.5cm-2的碳化硅晶体。
2、外延工艺效率低。碳化硅气相均质外延一般在1500以上的高温下进行。由于升华的问题，温度不能太高，一般不超过1800，因此生长速度较低。液相外延具有较低的温度和较高的速率，但吞吐量较低。
3、掺杂工艺有特殊要求。如果采用扩散法进行掺杂，碳化硅的扩散温度比硅高很多。此时用于掩蔽的SiO2层就失去了掩蔽作用，而且碳化硅本身在这么高的温度下也不稳定，所以不适合采用扩散法进行掺杂。而是通过离子注入进行掺杂。如果p型离子注入的杂质是铝。由于铝原子比碳原子大得多，因此注入和非活性状态的杂质对晶格的破坏是比较严重的。它通常在相当高的衬底温度下进行并在更高的温度下退火。这就带来了晶圆表面碳化硅分解和硅原子升华的问题。目前，p型离子注入仍存在诸多问题，从杂质选择到退火温度等一系列工艺参数仍需优化。
4、欧姆接触的制作。欧姆接触是器件电极引出的一个非常重要的过程。在碳化硅晶片上制造金属电极，要求接触电阻低于10-5cm2。 Ni和Al可作为电极材料，但在100以上热稳定性较差。采用Al/Ni/W/Au复合电极可将热稳定性提高到600、100h，但其接触比电阻高达10-3cm2。因此，很难与碳化硅形成良好的欧姆接触。
5、支撑材料的耐温性。碳化硅芯片可以在600C的温度下工作，但与其使用的材料可能无法承受这么高的温度。例如，电极材料、焊料、外壳、绝缘材料等都限制了工作温度的升高。
以上只是部分例子，并非全部。目前仍有很多工艺问题没有理想的解决方案，如碳化硅半导体表面开槽工艺、终端钝化工艺、栅氧化层界面态对碳化硅MOSFET器件长期稳定性的影响等。业界是否已达成共识？一致的结论等，极大地阻碍了碳化硅功率器件的快速发展。
八、为什么SIC器件还不能普及？
早在20世纪60年代，碳化硅器件的优点就已广为人知。之所以还没有普及，是因为存在包括制造在内的很多技术问题。迄今为止，SIC材料的工业应用主要是作为磨料（金刚砂）。
SIC在可控压力范围内不会熔化，而是在2500左右的升华点直接转变成气态。因此，SiC单晶的生长只能从气相开始。这个过程比SIC的生长要复杂得多。 SI 会在1400C 左右熔化。阻碍SIC技术取得商业成功的主要障碍是缺乏适合功率半导体器件工业化生产的衬底材料。就SI而言，单晶衬底常指硅片，硅片是生产的前提和保证。 20 世纪70 年代末成功开发了一种生长大面积SIC 衬底的方法。但使用一种名为Lely 的改良方法生长的基质受到微管缺陷的困扰。
只要一根微管穿过高压PN 结，就会破坏PN 结的阻断电压的能力。三年来，这种缺陷的密度从每平方毫米数万个下降到了数十个。除了这一改进之外，当器件的最大尺寸限制为几平方毫米时，生产良率可能会大于几个百分点，从而使每个器件的最大额定电流为几安培。因此，在SIC功率器件取得商业成功之前，需要对SIC衬底材料进行更大的技术改进。
SIC工业生产晶圆的微管密度和最佳晶圆的进展
制造微管密度值分别为40% 和90% 的不同器件产量
从上图可以看出，SIC材料和光电器件现在已经满足要求，不再受材料质量的影响。器件的工业化生产良率和可靠性也满足要求。高频器件主要包括MOSFET肖特基二极管内的单极器件。 SIC材料的微管缺陷密度基本满足要求，仅对良率有一定影响。将SIC材料用于高压大功率器件，进一步提高材料缺陷密度还需要两年左右的时间。总之，无论现在存在什么困难，半导体如何发展，SIC无疑是新世纪很有前途的材料。
史上最全面的第三代半导体产业发展介绍（附全球各国研究概况分析）
第三代半导体是指以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石、氧化锌（ZnO）等为代表的宽带隙半导体材料。各种半导体材料的带隙能量比较如表1所示。与传统的第一代和第二代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体具有带隙大、击穿电击穿电压高等优点。场、热导率大、电子饱和漂移速度快。其高介电常数、小介电常数等独特性能，使其在光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测装置等方面显示出巨大的潜力，是各国半导体研究领域的热点世界各地。
九、主要应用领域的发展概况
当前，第三代半导体材料正在引发清洁能源和新一代电子信息技术的革命。无论是照明、家用电器、消费电子设备、新能源汽车、智能电网，还是军工用品，这些高高性能半导体材料都有巨大的需求。从第三代半导体的发展来看，其主要应用是半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器等四个领域。每个领域的行业成熟度不同（见图）。
第三代半导体各种应用领域示意图
第三代半导体材料
1、碳化硅单晶材料
从宽带隙半导体材料领域的技术成熟度来看，碳化硅是该族材料中最高的，是宽带隙半导体的核心。 SiC材料是IV-IV族半导体化合物，具有宽带隙（Eg：3.2eV）、高击穿电场（4106V/cm）、高导热率（4.9W/cm.k）等特性。从结构上来说，SiC材料具有硅碳原子的密排结构。它可以看作是一个密堆积的硅原子，碳原子占据了它的四面体空位；它也可以被看作是一个密排碳原子，硅占据了碳的四面体空位。关于碳化硅的密排结构，通过不同的单向密排方法产生了多种晶型，目前已发现约200种。目前最常见和应用最广泛的晶型是4H和6H。 4H-SiC特别适合用于微电子领域制备高频、高温、大功率器件； 6H-SiC特别适合在光电领域使用，实现全彩显示。
随着SiC技术的发展，其电子器件和电路将为系统解决上述挑战奠定坚实的基础。因此，SiC材料的发展将直接影响宽带隙技术的发展。
SiC器件和电路性能优越，应用前景广阔，因此一直受到业界高度重视，基本形成美国、欧洲、日本三足鼎立的局面。目前国际上商业化碳化硅单晶抛光片的公司有美国的Cree、Bandgap、DowDcorning、II-VI、Instrinsic；日本的Nippon 和Sixon；芬兰的Okmetic；和德国。 SiCrystal等。其中Cree、SiCrystal市场份额超过85%。在所有碳化硅制备厂商中，美国Cree公司实力最强。其碳化硅单晶材料技术水平可代表国际水平。专家预测，Cree也将在未来几年主导碳化硅衬底市场。
2、氮化镓材料
GaN材料是Johanson等人合成的III-V族化合物半导体材料。 1928年。
在大气压下，GaN晶体一般具有六方纤锌矿结构。它的晶胞中有4个原子，其原子体积约为GaAs的1/2。其化学性质稳定，常温下不溶于水、酸、碱。并在热碱溶液中以非常慢的速度溶解；它在HCl或H2下的高温下表现出不稳定的特性，并且在N2下最稳定。 GaN材料具有良好的电学性能，包括宽带隙（3.39eV）、高击穿电压（3106V/cm）、高电子迁移率（室温1000cm2/V·s）、高异质结表面电荷密度（11013cm） -2)等，因此被认为是研究短波长光电器件和高温、高频、大功率器件的首选材料。与硅、砷化镓、锗甚至碳化硅器件相比，GaN器件可以工作在更高的频率和更高的功率下。在高功率和较高温度下工作。此外，氮化镓器件可应用于1至110GHz的高频频段，涵盖移动通信、无线网络、点对点和点对多点微波通信、雷达应用等频段。
近年来，以GaN为代表的III族氮化物因其在光电子和微波器件领域的应用前景而受到广泛关注。作为一种具有独特光电特性的半导体材料，氮化镓的应用可分为两部分：氮化镓半导体材料由于在高温、高频、大功率下具有优异的性能，可以替代部分硅及其他化合物半导体材料。操作条件；利用宽带隙和蓝光激发半导体材料的独特性能来开发新型光电应用产品。目前，氮化镓光电器件和电子器件在光存储、激光打印、高亮度LED和无线基站等应用领域具有明显的竞争优势。其中，高亮度LED、蓝色激光器和功率晶体管是当前器件制造领域最受关注和关注的。
国外对氮化镓单晶材料的研究起步较早。现在美国、日本和欧洲在氮化镓单晶材料的研究方面已经取得了一定的成果，并且都已经出现能够生产氮化镓单晶材料的能力。其中美国和日本的研究水平最高。
美国许多大学、研究机构和公司都开展了氮化镓单晶制备技术的研究，并一直处于领先地位。 TDI、Kyma、ATMI、Cree、CPI等公司均已成功生产氮化镓单晶衬里。结尾。 Kyma现已可销售1英寸、2英寸、3英寸氮化镓单晶衬底，并已开发出4英寸氮化镓单晶衬底。
日本在氮化镓衬底方面的研究水平也很高。住友电工（SEI）和日立电缆已开始批量生产氮化镓衬底。 Nichia、Matsushita、Sony 和Toshiba（东芝）等。也进行了相关研究。日立电缆的氮化镓衬底直径为2英寸，衬底上的位错密度达到1106cm-2的水平。
欧洲氮化镓单晶研究主要有波兰的Top-GaN和法国的Lumilog。 TopGaN采用HVPE工艺生产GaN材料，位错密度为1107cm-2，厚度为0.1~2mm，面积大于400mm2。综上所述，国外对氮化镓单晶衬底的研究已经取得了很大的进展。一些公司已经将氮化镓单晶衬底商业化。该技术已趋于成熟。下一步的发展方向是大尺寸、高完整性、低缺陷密度、自支撑衬底材料。
3、氮化铝材料
AlN材料是III族氮化物，直接带隙为0.7至3.4eV，可广泛应用于光电子领域。与砷化镓等材料相比，它覆盖的光谱带宽更宽，特别适合从深紫外到蓝光的应用。同时，III族氮化物具有良好的化学稳定性、优异的导热性、高击穿电压和介电常数。与硅、砷化镓、锗甚至碳化硅器件相比，III族氮化物器件可以工作在更高的频率、更高的功率、更高的温度和恶劣的环境下，使其成为最有前途的器件之一。类半导体材料。
AlN材料具有宽带隙（6.2eV）、高导热率（3.3W/cm·K）以及与AlGaN层更好的晶格匹配和热膨胀系数匹配。因此，AlN非常适合制造先进的高功率发光器件（LED、LD的理想衬底材料）、紫外探测器和高功率高频电子器件。
近年来，GaN基蓝绿光LED、LD、紫外探测器和大功率高频HEMT器件取得了长足进展。就AlGaNHEMT器件而言，AlN比GaN材料具有更高的热导率，更容易实现半绝缘；与SiC相比，晶格失配更小，可以大大降低器件结构中的缺陷密度，有效提高器件性能。 AlN 是生长III 族氮化物外延层和器件结构的理想衬底。其优点包括：与GaN的晶格失配和热膨胀系数失配小；化学相容性；晶体结构相同，无堆垛层错。层；还具有偏光表面；由于其稳定性高且不含其他元素，因此基材造成的污染很少。 AlN材料可以改善器件性能、提高器件质量，是电子器件发展的动力和基石。
目前，就国外AlN单晶材料的发展而言，美国和日本的发展水平最高。美国TDI公司是目前唯一完全掌握HVPE制备AlN衬底技术并实现产业化的单位。 TDI 的AlN 基板是沉积在SiC 或蓝宝石基板上的10-30m 电绝缘AlN 层。主要用作低缺陷电绝缘衬底，用于制造高功率AlGaN 基HEMT。目前有2、3、4、6英寸产品。日本AlN技术研究单位主要有东京农工大学、三重大学、NGK株式会社、名城大学等，并取得了一定成果，但尚未出现成熟产品。此外，俄罗斯Joffe研究所和瑞典林雪平大学在HVPE生长AlN方面也有一定水平的研究。俄罗斯NitrideCrystal公司也开发出直径为15mm的PVTAlN单晶样品。国内对AlN的研究明显落后于国外。一些科研单位也对AlNMOCVD外延生长进行了初步探索，但没有明显的突破和成果。
4. 钻石
金刚石是一种碳结晶成立方晶体结构的材料。在这种结构中，每个碳原子通过“强”刚性化学键与四个相邻的碳原子连接并形成四面体。在金刚石晶体中，碳原子的半径很小，因此单位体积的键能很大，使其比其他材料更坚硬。是已知材料中最硬的（维氏硬度可达10400kg/mm2）。
此外，金刚石材料还具有较大的带隙（5.5eV）；导热系数高，可达120W/cm.K（-190），一般可达20W/cm.K（20）；以及最高的声音传输速度。介电常数小，介电强度高。金刚石集机械、电学、热学、声学、光学、耐腐蚀等优异性能于一身，是目前最有前途的半导体材料。根据金刚石的优良特性，使其得到广泛的应用。除传统用作工具材料外，还可用于微电子、光电子、声学、传感等电子器件领域。
5.氧化锌
氧化锌（ZnO）是II-VI族具有纤锌矿结构的半导体材料，带隙宽度为3.37eV；此外，其激子结合能（60meV）远高于GaN（24meV）、ZnS（39meV）等材料。如此高的激子结合能使其在室温下稳定且不易被激发（室温热电离能为26meV），降低了室温下的激光阈值，提高了ZnO材料的激发效率。基于这些特性，ZnO材料既是一种宽带隙半导体，又是一种具有优异光电和压电性能的多功能晶体。
不仅适合制作高效蓝光、紫外发光和探测器等光电器件，还可用于制作气体传感器、表面声波器件、透明大功率电子器件、发光显示器和太阳能的窗口材料。电池，以及变阻器和压电转换。与GaN相比，ZnO在制造LED和LD方面更具优势。预计ZnO基LED和LD的亮度将是GaN基LED和LD的10倍，而价格和能耗仅为后者的1/10。
ZnO材料因其优越的性能而得到广泛应用，受到各国的高度重视。
日本、美国、韩国等发达国家投入巨资支持ZnO材料的研发，掀起了世界ZnO研究热潮。据报道，日本已生长出优质ZnO单晶，直径达2英寸；我国已采用CVT法生长出直径32mm、直径45mm、厚度4mm的ZnO单晶。材料技术的进步也引导和推动器件技术的进步。日本开发出基于ZnO均质PN结的电致发光LED；我国还成功制备出全球首个均质ZnO-LED原型器件，实现了室温电注入。辉光。器件制备技术的进步促进了ZnO半导体材料的实际应用。由于其独特的优势，它将在国防建设和国民经济中具有非常重要的应用，前景无限。
十、结语
宽禁带半导体材料作为一种新型材料，具有独特的电学、光学、声学等性能。他们制备的器件性能优异，在多方面具有广阔的应用前景。可以提高功率器件的工作温度极限，使其能够在更恶劣的环境下工作；可以提高设备的功率和效率，提高设备性能；可以拓宽发光光谱，实现全彩显示。随着宽带隙技术的进步以及材料技术和器件技术的逐渐成熟，其重要性将逐渐显现。它将在高端领域逐步取代第一代、第二代半导体材料，成为电子信息产业的主导者。
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用户评论
碳化硅啊？我去年才听说这个东西，说它性能比硅更好还能承受更高的温度，现在看来未来可期！
有18位网友表示赞同！
确实了，碳化硅的优势很明显，成本低、耐高温。如果能大规模生产，那芯片产业真的会迎来革命性进步哦！
有9位网友表示赞同！
第三代半导体最重要的材料！？说起来好像有点拗口啊，总感觉像是在夸耀似的，不如直接讲讲碳化硅的特点和应用场景就好理解。
有16位网友表示赞同！
我一直对电子科技的东西挺好奇的，这个碳化硅听名字就很酷了。这篇文章写的挺生动形象的，让我对它的特性有了初步了解，可以看看以后相关的资料学习一下啦！
有16位网友表示赞同！
我做的是光电行业，其实碳化硅在LED方面早就应用了不少了，耐高温的特点特别适合用于室外照明和高功率灯具。看来未来还有更大的应用空间呢！
有8位网友表示赞同！
说它是第三代半导体最重要的材料是不是有些夸张啊？毕竟现在主流的还是硅基芯片，碳化硅这项技术还需要发展的时间才能取代它吧。
有19位网友表示赞同！
我也关注过这个技术，但是感觉目前还不是特别成熟，应用场景有限呢。希望未来能突破一些技术瓶颈，让人们更广泛地使用碳化硅产品。
有7位网友表示赞同！
写得那么好，我被这个“第三代半导体”的概念吸引住了！之前只知道硅基芯片，现在才知道还有这种新的材料可以应用在电子元器件上啊！
有8位网友表示赞同！
文章介绍的确实很详细，特别是对碳化硅的优势点总结得很到位。作为理工科生，我感觉这个未来可期，说不定以后会用得到呢！
有16位网友表示赞同！
我一直觉得科技进步太快了，还没消化完硅基芯片就已经有了新的材料？ 不过碳化硅确实吸引人啊，耐高温、高导热性这些特点都非常实用。
有19位网友表示赞同！
我关注一下吧，说不定以后会成为行业热点呢！这个碳化硅听起来很酷炫。
有10位网友表示赞同！
文章写的很有吸引力，让我对碳化硅这个新材料有了更深入的了解。希望未来能看到更多关于它的应用案例和发展前景。
有18位网友表示赞同！
说的很有道理，碳化硅确实有很大潜力！我觉得未来电子元器件的发展方向就是向更高效、更高性能的方向发展，碳化硅在这种情况下会扮演很重要的角色。
有9位网友表示赞同！
第三代半导体？听着就很高大上啊！不过我现在还是不懂这种材料具体能应用到哪里去。希望以后写文章能更注重 practicality 的方面，这样更容易让人理解。
有7位网友表示赞同！
碳化硅这个名称好难忘，记住了！感觉现在科技发展越来越快了，要跟上时代的步伐才不会落后！
有16位网友表示赞同！