场效应管开关电路原理是什么

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　　场效应管导通时，漏沟道电阻有几千MΩ。所以，场效应客可以构成比较理想的低频开关。场效应管的极间电容不利于高频信号的隔离，从而增大了响应时间，限制了最高工作频率。

　　功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。

方案1要用P沟道场管，IRF640N是N沟道的，不能用，还要求PLC的OC端能承受24V电压，这点可能不行。

方案2用N沟道场管，IRF640N可行。

两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。

你好，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

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